从“信仰配置”转向“套利配置”。投资者不再无脑持有英伟达，而是将目光投向“铲子中的铲子”—— HBM存储（如SK海力士）、CoWoS封装设备、高速光模块等环节。这些环节的需求刚性更强，竞争格局更优，受行业波动的影响相对较小。
在传统存储产品方面，10nm以下DRAM制造工艺正成为主流，并逐步向7nm工艺突破，通过“FinFET架构+TSV技术”提升密度、降低功耗。3D NAND堆叠层数突破400层后，“垂直堆叠”难度加剧，厂商转向“水平扩展+架构优化”，比如三星V-NAND的阶梯式架构、Kioxia的BiCS架构，同时引入“HKC（高K介质+金属栅）”技术，解决高层数堆叠的漏电、散热问题，制造工艺从“层数竞赛”转向“架构+工艺”双重竞争。
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[1] K. Lemström, J. Tarhio & T. Takala: “Color Dithering with n-Best Algorithm” (1996). ↑，推荐阅读夫子获取更多信息
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